Разное

Банк памяти это – Банки памяти

Банки памяти

Подробности
Родительская категория: Оперативная память
Категория: Прочая информация про оперативную память

Расположенные на системной плате и модулях памяти микросхемы (DIP, SIMM, SIPP и DIMM) организуются в банки памяти. Иметь представление о распределении памяти между банками и их расположении на плате необходимо, например, в том случае, если вы собираетесь установить в компьютер дополнительную микросхему памяти.

Кроме того, диагностические программы выводят адреса байта и бита дефектной ячейки, по которым можно определить неисправный банк памяти.

Обычно разрядность банков равна разрядности шины данных процессора. Эти параметры для различных типов компьютеров приведены в таблице.

Примечание!

При двухканальном режиме необходимо устанавливать в разъемы однотипные пары модулей памяти. Если использован один модуль или два модуля различной емкости, а также если модули вставлены не в двухканальный разъем, система работает с памятью в одноканальном режиме.

Количество битов для каждого банка может быть сформировано одной микросхемой, модулем SIMM или модулем DIMM. В современных системах отдельные микросхемы не используются — только модули SIMM и DIMM. Если система оснащена 16-разрядным процессором, таким как 386SX, в ней, скорее всего, используются 30-контактные модули SIMM, пара которых образует один банк. Модули SIMM, образующие один банк, должны быть одного объема и типа.

В системах на базе процессора 486 для образования одного банка используется четыре 30-контактных или один 72-контактный модуль SIMM. Один 72-контактный модуль SIMM содержит 32 бит (или же 36 бит для модуля с проверкой четности). Чтобы определить, поддерживает ли модуль проверку четности, достаточно подсчитать количество микросхем. Для образования одного 32-разрядного модуля SIMM требуется 32 однобитовые или же 8 четырехбитовых микросхем. Если система поддерживает проверку четности, дополнительно потребуется 4 бит (т.е. всего 36 бит), а значит, еще одна четырехбитовая или четыре однобитовых микросхемы.

Таким образом, 30-контатные модули SIMM оказываются далеко не самым идеальным выбором для 3- или 64-разрядных систем (оснащенных процессором 486 или Pentium), так как для формирования одного банка потребуется четыре или даже восемь модулей. Следовательно, только в ограниченном количестве 32-разрядных систем используются 30-контактные модули SIMM; в 64-разрядных системах подобные модули вообще никогда не использовались. Если в 32-разрядной системе (оснащенной процессором 386DX или 486) используются 72-контактные модули SIMM, каждый такой модуль представляет отдельный банк, а значит, модули можно устанавливать или вынимать по одному, а не сразу по четыре, как во времена 30-контактных модулей. Благодаря этому конфигурирование памяти значительно упростилось. В 64-разрядных системах, в которых используются модули SIMM, для формирования одного банка необходима пара 72-контактных модулей SIMM.

Модули DIMM идеально подходят для систем с процессорами Pentium и более современными, поскольку 64-разрядная шина модулей полностью совпадает с шириной шины Pentium. Таким образом, каждый модуль DIMM представляет собой отдельный банк, а значит, подобные модули можно устанавливать и вынимать по одному. Многие современные системы проектируются таким образом, чтобы в них модули памяти использовались парами для обеспечения более высокого быстродействия. В данном случае речь идет о двухканальном режиме работы, при использовании которого пара модулей трактуется как одно устройство с шиной 128 бит (144 бит в случае модулей с поддержкой четности/ECC). В этом случае можно использовать и один модуль памяти, однако это не позволит обеспечить максимальное быстродействие системы.

Физическое расположение и нумерация разъемов SIMM и DIMM в значительной мере зависят от решения разработчиков системной платы, так что в данном случае под рукой лучше иметь руководство пользователя. Естественно, можно определить параметры материнской платы или адаптера с помощью тестирования, но это может отнять много времени и связано с риском возникновения проблем системного характера.

Внимание!

Если компьютерная система поддерживает двухканальную память, обязательно устанавливайте модули в соответствующие разъемы на системной плате. Информация о том, какие разъемы необходимо использовать для обеспечения двухканального режима работы памяти, наверняка представлена в руководстве пользователя. Большинство системных плат, поддерживающих двухканальный режим работы памяти, допускают установку модулей без активизации двухканального режима, однако в данном случае быстродействие системы значительно снижается. Некоторые системы допускают двухканальный режим даже при использовании нечетного количества модулей, однако при условии, что суммарный объем модулей в каждом канале, а также их характеристики, совпадают. В любом случае лучше подробно изучить документацию.

perscom.ru

Переключение банков — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Переключение банков — способ увеличения количества используемой памяти по сравнению с количеством, которое процессор может адресовать напрямую[1][2]. Этот способ может использоваться чтобы изменять конфигурацию системы: например ПЗУ, требующееся для загрузки системы с дискеты, может быть отключено, когда оно больше не нужно. В игровых приставках переключение банков позволяет разработать игры большего размера для использования на текущем поколении консолей.

Переключение банков впервые появилось в мини-компьютерах[3]. Многие современные микроконтроллеры и микропроцессоры используют переключение банков для управления ОЗУ, ПЗУ, устройствами ввода-вывода и регистрами системного управления в небольших встраиваемых системах. Данный способ широко использовался в 8-битных микрокомпьютерах. Переключение банков также может использоваться если ширина шины адреса ограничена искусственно и есть аппаратные ограничения, не позволяющие увеличить число линий адреса. В некоторых микроконтроллерах поддержка переключения банков встроена аппаратно, что позволяет сократить число адресных бит, используемых в инструкциях.

В отличие от механизма «подкачки страниц», данные не выгружаются на устройство хранения (жесткий диск). Данные в неизменном виде остаются в недоступной в данный момент процессору области памяти (хотя эта область может быть доступна видеоконтроллеру, контроллеру DMA или другим подсистемам компьютера).

Переключение банков можно рассматривать как способ расширения шины адреса процессора с помощью внешнего регистра. Например, процессор с 16-битной внешней шиной адреса может адресовать 216 = 65536 ячеек памяти. Если к системе добавлен внешний триггер, с его помощью можно управлять, к какому из двух наборов блоков памяти по 65536 ячеек каждый будет выполняться доступ. Процессор может переключать используемый набор блоков, устанавливая или сбрасывая т

ru.wikipedia.org

Иллюстрированный самоучитель по теории операционных систем › Машинные языки › Банки памяти [страница — 49] | Самоучители по программированию

Банки памяти

Банки памяти используются, когда адресное пространство процессора мало, а приложение требует. При этом стоимостные и электротехнические ограничения позволяют нам установить в систему гораздо больше памяти, чем процессор может адресовать. Например, у многих» микроконтроллеров адрес имеет длину всего 8 бит, однако 256 байт данных, и тем более 256 команд кода для большинства приложений недостаточно. Многие из ранних персональных компьютеров, основанных на 8-разрядных микропроцессорах i8085 и Z80 с 16-разрядным адресом, имели гораздо больше 64 Кбайт памяти. Например, популярные в годы детства авторов компьютеры Yamaha имели до 2 Мбайт оперативной памяти.

Адресация дополнительной памяти в этой ситуации обеспечивается дополнительным адресным регистром, который может быть как конструктивным элементом процессора, так и внешним устройством. Этот регистр дает нам дополнительные биты адреса, которые и обеспечивают адресацию дополнительной памяти. Регистр этот называется расширителем адреса или селектором банка, а область памяти, которую можно адресовать, не изменяя селектор банка, – банком памяти. Значение регистра-селектора называют номером банка.

Банковая адресация в 16-разрядных микропроцессорах

Внимательный читатель, знакомый с системой команд Intel 8086, не может не отметить, что «сегментные» регистры этого процессора имеют мало общего с собственно сегментацией, описываемой в Главе 5. Эти регистры более похожи на причудливый гибрид селектора банков и базового регистра. Как и описываемый далее PIC, I8086 имеет команды «ближних» (внутрибанковых) и «дальних» (межбанковых) переходов, вызовов и возвратов.

Относящийся к тому же поколению процессоров Zylog 800 имеет полноценные селекторы банков. Из всех изготовителей 16-разрядных микропроцессоров только инженеры фирмы Motorola осмелились расширить адрес до 24 бит (это потребовало увеличения разрядности регистров и предоставления команд 32-разрядного сложения), все остальные так или иначе экспериментировали с селекторами банков и вариациями на эту тему.

Работа с банками памяти данных обычно не представляет больших проблем, за исключением ситуаций, когда нам нужно скопировать из одного банка в другой структуру данных, которую невозможно разместить в регистрах процессора. Существенно более сложную задачу представляет собой передача управления между банками программной памяти.

В том случае, когда селектор банка программной памяти интегрирован в процессор, предоставляются специальные команды, позволяющие перезагрузить одновременно «младшую» (собственно регистр PC) и «старшую» (селектор банка) части счетчика команд.

Банки команд в Р/С

У микроконтроллеров PIC арифметические операции производятся только над младшими 8 битами счетчика команд, поэтому относительные и вычислимые переходы допустимы только в пределах 256-командного банка. Однако полное – с учетом селектора банка – адресное пространство для команд достигает 64 Кбайт, а у старших моделей и 16 Мбайт за счет использования двух регистров-расширителей. Переключение банка осуществляется специальными командами «длинного» – межбанкового – перехода.

Если банковая адресация реализована как внешнее устройство, проблема межбанковой передачи управления встает перед нами в полный рост. Поскольку мы не имеем команд межбанкового перехода, любой такой переход состоит минимум из двух команд: переключения банка и собственно перехода. Каждая из них нарушает порядок исполнения команд.

Рассмотрим ситуацию детальнее (рис. 2.15): из кода, находящегося в банке 1 по адресу 0x10af, мы хотим вызвать процедуру, находящуюся в банке 2 по адресу 0x2000. Если мы сначала выполним переключение банка, мы окажемся в банке 2 по адресу 0х10b0, не имея никакого представления о том, какой же код или данные размещены по этому адресу. С той же проблемой мы столкнемся, если сначала попытаемся сделать переход по адресу 0x1fff.

В качестве решения можно предложить размещение по адресу Oxlfff в банке 1 команды переключения на банк 2. Возможно, для этого придется переместить какой-то код или данные, но мы попадем по желаемому адресу. Впрочем, если мы постоянно осуществляем межбанковые переходы, этот подход Потребует вставки команд переключения банка для каждой возможной точки входа во всех остальных банках.

samoychiteli.ru

Сбербанк создает «Банк памяти» подвигов Великой Отечественной войны

  • «Банк памяти» — это совместный проект Сбербанка, «Бессмертного полка» и благотворительного фонда «Память поколений».
  • Проект создан для того, чтобы помочь каждому человеку в современном формате сохранить и передавать через поколения память о подвиге, который совершил член его семьи во время Великой Отечественной войны
  • С помощью специальной анкеты в «Банк памяти» можно загружать любую информацию, которая сохранилась в семье: имя ветерана, дату рождения, откуда ушел на фронт, награды, военный билет, фотографии, письма, документы.
  • После сбора всех данных сервис генерирует персонализированный профиль и видео с информацией о ветеране – видео увековечивает подвиги героя, им можно поделиться в социальных сетях или сохранить на память.

В преддверии Дня Победы, стартует проект «Банк памяти». Проект создан для того, чтобы помочь каждому человеку в современном формате сохранить и передавать через поколения память о подвиге, который совершил член его семьи во время Великой Отечественной войны. 

Сбербанк создает цифровой «Банк памяти», где любой желающий сможет сохранить данные о своих предках и передать эти знания родным и близким в современной форме. Новый сервис Сбербанка даст вторую жизнь семейным архивам — поможет оцифровать историю семьи, трансформировав все знания в цифровой профиль ветерана, рассказывающий его историю, и создающий персонализированное видео о нем. Партнерами проекта Сбербанка выступают общественное движение «Бессмертный полк России» и благотворительный фонд «Память поколений».

С помощью специальной анкеты каждый пользователь сможет создать цифровой профиль ветерана — в “Банк памяти” можно загружать любую информацию, которая сохранилась в семье: имя ветерана, дату рождения, откуда ушел на фронт, награды, военный билет, фотографии, письма, документы.

Алгоритм создания профиля ветерана предельно прост и понятен:

  • пользователь авторизуется на сайте и собирает информацию о своем родственнике, сохраняя ее в личном кабинете;
  • сервис предлагает дополнить профиль ветерана данными из электронной базы «Подвиг народа»;
  • после сбора всех данных сервис генерирует персонализированный профиль и видео с информацией о ветеране;
  • видео можно сохранить для личного пользования и поделиться им в социальных сетях.

Проект «Банк памяти» позволяет собрать воедино всю разрозненную информацию о каждом отдельно взятом ветеране, сгенерировать видеоклип о нем и его подвигах — что до нынешнего времени не предоставлял ни один сервис, посвященный героям Великой Отечественной войны и Дню Победы. 

Сбербанк традиционно обращает большое внимание на поддержку социально значимых проектов. Помимо обеспечения доступности финансовых услуг для всех категорий населения, банк на протяжении многих лет прикладывает усилия для сохранения уникального культурного и исторического наследия страны.

expertnw.ru

Организация банков памяти

В состав банка памяти в общем случае
входят ПЗУ и ОЗУ, подключенные к системной
шине МПС: шине адреса ША, шине данных ШД
и шине управления ШУ (рис. 6.6,а). Для
каждого из этих устройств допустима
операция чтения информации, и обращение
к ним осуществляется с помощью общего
сигнала чтения MEMR. Одновременная
активизация ПЗУ и ОЗУ привела бы к клинчу
информации на шине данных и ее полному
искажению, что недопустимо.

Для устранения клинча необходимо
распределить адресное пространство МП
между ПЗУ и ОЗУ, что исключит их
одновременную активизацию. Распределение
адресного пространства реализуется
путем селекции адресных зон по старшим
разрядам шины адреса и введением входа
выборки каждого ЗУ в целом.

В простейшем случае распределение
адресов осуществляется с помощью одной
старшей линии адреса, например, A19
(см.рис. 6.6,а). В этом случае все адреса
0.A18A0
относятся к ОЗУ, а 1.A18A0к ПЗУ. Недостатком
такой селекции является равенство
адресных зон, выделенных каждому ЗУ.

Рис. 6.6. Организация банка памяти для МП
ВМ88:

а) распределение адресов старшей
адресной линией;

б) распределение адресов комбинацией
старших адресных линий

В общем случае формирование селектирующих
сигналов осуществляется с помощью
дешифратора, декодирующего состояние
нескольких старших адресных линий. При
этом схема селекции имеет вид, приведенный
на рис. 6.6,б.

Количество старших разрядов адреса
nст,
используемых для селекции, определяется
минимальной зоной адресного пространства
Amin,
выделяемой некоторому ЗУ, в соответствии
с формулой: nст= nlog2Amin,
где nразрядность
шины адреса МП.

Пример 6.1:

Определить количество адресных линий,
используемых для селекции ЗУ, при
требуемом объеме ОЗУ 2 кбайт, а объеме
ПЗУ
8 кбайт.

Учитывая, что n=20, Amin=2K=211байтов, Amax=8K=213байтов, легко получить nст=nlog2Amin=20log2211=2011=9.
Следовательно, для точной селекции зоны
в 2 кбайт необходимо 9 старших адресных
линий.

Рассмотренный вариант организации
банка памяти и распределения адресного
пространства между ПЗУ и ОЗУ полностью
справедлив для МПС на базе МП ВМ88, имеющих
единственный банк.

Для МПС на базе МП ВМ86, имеющих два банка
памяти, организация банков и распределение
адресного пространства осуществляются
аналогичным образом и могут быть
представлены схемой, приведенной на
рис. 6.7. Селектирующие дешифраторы банков
памяти стробируются сигналами
и A0, что обеспечивает обращение к ним
для обмена информацией необходимым
образом.

Распределение адресного пространства
путем использования одной старшей
адресной линии (например,A19) в этом случае
также возможно, но она должна быть
застробирована сигналами
и A0 с помощью логических элементов.

Рис. 6.7. Организация банков памяти для
МП ВМ86

Селектирующие дешифраторы DC в банках
памяти (см. рис. 6.6.б, 6.7) наиболее удобно
выполнять по двухступенчатой схеме. В
этом случае старшие разряды адреса nст,
используемые для селекции, разбиваются
на две группы n1и n2в
соответствии с формулами:

nст=n1+n2,
n1=nlog2Amax,
n2=nстn1,

где Amaxмаксимальная зона
адресного пространства, выделяемая
некоторому ЗУ.

Схема селектирующего дешифратора при
этом будет иметь вид, приведенный на
рис. 6.8,а. Такое распределение соответствует
разбиению адресного пространства на
K=2n1максимальных зон, каждая из которых
может быть разбита на L=2n2минимальных зон (рис.6.8,б).

Рис. 6.8. Двухступенчатая селекция
адресного пространства:

а) схема селектирующего дешифратора;

б) схема распределения адресного
пространства

Пример 6.2:

Разделить адресные линии, используемые
для селекции ЗУ в примере 6.1, для
двухступенчатой реализации селектирующего
дешифратора.

Учитывая, что для этого примера n=20,
nст=9,
Amax=213байтов, легко получить

n1=nlog2Amax=2013=7;
n2=nстn1=97=2.

Таким образом, в разрабатываемой схеме
дешифратор первой ступени DC1должен декодировать состояния семи
самых старших адресных линий A19A13,
а дешифратор второй ступени DC2состояния двух
следующих адресных линий A12A11.
При этом адресное пространство будет
разбито на 128 максимальных зон по 8 кбайт,
а выбранная максимальная зона будет
разбита на 4 минимальных зоны по 2 кбайт
в каждой.

Рассмотренный способ селекции обеспечивает
высокую гибкость в распределении
адресного пространства. Путем изменения
единственной связи можно перемещать
ЗУ в любую зону адресного пространства.

Как правило, ОЗУ размещается в самых
младших адресах, что определяется
положением таблицы векторов прерываний,
а ПЗУ в самых старших
адресах адресного пространства, что
определяется положением стартовой
точки программы (см.подраздел 6.4.1). В
ячейках ПЗУ, соответствующих стартовой
точке программы, должна находиться
команда безусловной передачи управления
на начало программы.

Пример 6.3:

Построить двухступенчатую схему
селекции для примеров 6.1, 6.2 с размещением
ОЗУ в самых младших, а ПЗУ

в самых старших адресах адресного
пространства.

Очевидно, что при построении селектирующего
дешифратора по схеме, приведенной на
рис.6.8,а, для размещения ОЗУ объемом 2
кбайт в самых младших адресах необходимо
соединить его вход выборки
с выходом Amin0
дешифратора второй ступени DC2,
вход выборки которого должен быть
соединен с выходом Amax0
дешифратора первой ступени DC1.
Для размещения ПЗУ объемом 8 кбайт в
самых старших адресах необходимо
соединить его вход выборки с самым
последним выходом AmaxK(K=127)
дешифратора первой ступени DC1.

Очень часто при наличии избыточного
адресного пространства для упрощения
селектирующего дешифратора используется
неполное декодирование селектирующих
адресных линий. В этом случае декодируется
не вся группа старших адресных линий,
а лишь ее часть. Это приводит к дублированию
выделенных адресных зон 2mраз, где mколичество
отброшенных старших адресных линий.
Наиболее целесообразно исключать из
декодирования самые младшие из группы
старших адресных линий. Это приведет
лишь к расширению селектируемых адресных
зон за счет дублирования смежных областей
адресного пространства.

studfiles.net

Про ранги и виртуализацию в RAM / Сервер Молл corporate blog / Habr

В продолжение рубрики «конспект админа» хотелось бы разобраться в нюансах технологий ОЗУ современного железа: в регистровой памяти, рангах, банках памяти и прочем. Подробнее коснемся надежности хранения данных в памяти и тех технологий, которые несчетное число раз на дню избавляют администраторов от печалей BSOD.

Сегодня на рынке представлены, в основном, модули с памятью DDR SDRAM: DDR2, DDR3, DDR4. Разные поколения отличаются между собой рядом характеристик – в целом, каждое следующее поколение «быстрее, выше, сильнее», а для любознательных вот табличка:

Для подбора правильной памяти больший интерес представляют сами модули:

  • RDIMM — регистровая (буферизованная) память. Удобна для установки большого объема оперативной памяти по сравнению с небуферизованными модулями. Из минусов – более низкая производительность;

  • UDIMM (unregistered DRAM) — нерегистровая или небуферизованная память — это оперативная память, которая не содержит никаких буферов или регистров;

  • LRDIMM — эти модули обеспечивают более высокие скорости при большей емкости по сравнению с двухранговыми или четырехранговыми модулями RDIMM, за счёт использования дополнительных микросхем буфера памяти;

  • HDIMM (HyperCloud DIMM, HCDIMM) — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы. Например, 4 физических ранга в таких модулях могут быть представлены для контроллера как 2 виртуальных;

  • FBDIMM — полностью буферизованная DIMM с высокой надежностью, скоростью и плотностью размещения.

Попытка одновременно использовать эти типы может вызвать самые разные печальные последствия, вплоть до порчи материнской платы или самой памяти. Но возможно использование одного типа модулей с разными характеристиками, так как они обратно совместимы по тактовой частоте. Правда, итоговая частота работы подсистемы памяти будет ограничена возможностями самого медленного модуля или контроллера памяти.

Для всех типов памяти SDRAM есть общий набор базовых характеристик, влияющий на объем и производительность:

Конечно, отличий на самом деле больше, но для сборки правильно работающей системы можно ограничиться этими.

Понятно, что чем выше частота — тем выше общая производительность памяти. Но память все равно не будет работать быстрее, чем ей позволяет контроллер на материнской плате. Кроме того, все современные модули умеют работать в в многоканальном режиме, который увеличивает общую производительность до четырех раз.

Режимы работы можно условно разделить на четыре группы:

  • Single Mode — одноканальный или ассиметричный. Включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга. Фактически, означает отсутствие многоканального доступа;

  • Dual Mode — двухканальный или симметричный. Слоты памяти группируются по каналам, в каждом из которых устанавливается одинаковый объем памяти. Это позволяет увеличить скорость работы на 5-10 % в играх, и до 70 % в тяжелых графических приложениях. Модули памяти необходимо устанавливать парами на разные каналы. Производители материнских плат обычно выделяют парные слоты одним цветом;

  • Triple Mode — трехканальный режим работы. Модули устанавливаются группами по три штуки — на каждый из трех каналов. Аналогично работают и последующие режимы: четырехканальные (quad-channel), восьмиканальные (8-channel memory) и т.п.

  • Flex Mode – позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но с одинаковой частотой.

Для максимального быстродействия лучше устанавливать одинаковые модули с максимально возможной для системы частотой. При этом используйте установку парами или группами — в зависимости от доступного многоканального режима работы.

Ранг (rank) — область памяти из нескольких чипов памяти в 64 бита (72 бита при наличии ECC, о чем поговорим позже). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга.

Узнать этот параметр можно из маркировки на модуле памяти. Например уKingston число рангов легко вычислить по одной из трех букв в середине маркировки: S (Single — одногоранговая), D (Dual — двухранговая), Q (Quad — четырехранговая).

Пример полной расшифровки маркировки на модулях Kingston:

Серверные материнские платы ограничены суммарным числом рангов памяти, с которыми могут работать. Например, если максимально может быть установлено восемь рангов при уже установленных четырех двухранговых модулях, то в свободные слоты память добавить не получится.

Перед покупкой модулей есть смысл уточнить, какие типы памяти поддерживает процессор сервера. Например, Xeon E5/E5 v2 поддерживают одно-, двух- и четырехранговые регистровые модули DIMM (RDIMM), LRDIMM и не буферизированные ECC DIMM (ECC UDIMM) DDR3. А процессоры Xeon E5 v3 поддерживают одно- и двухранговые регистровые модули DIMM, а также LRDIMM DDR4.

Тайминги или латентность памяти (CAS Latency, CL) — величина задержки в тактах от поступления команды до ее исполнения. Числа таймингов указывают параметры следующих операций:

  • CL (CAS Latency) – время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью;

  • tRCD (задержка от RAS до CAS) – время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS) до обращения к столбцу матрицы (CAS) с нужными данными;

  • tRP (RAS Precharge) – интервал от закрытия доступа к одной строке матрицы, и до начала доступа к другой;

  • tRAS – пауза для возврата памяти в состояние ожидания следующего запроса;

  • CMD (Command Rate) – время от активации чипа памяти до обращения к ней с первой командой.

Разумеется, чем меньше тайминги – тем лучше для скорости. Но за низкую латентность придется заплатить тактовой частотой: чем ниже тайминги, тем меньше допустимая для памяти тактовая частота. Поэтому правильным выбором будет «золотая середина».

Существуют и специальные более дорогие модули с пометкой «Low Latency», которые могут работать на более высокой частоте при низких таймингах. При расширении памяти желательно подбирать модули с таймингами, аналогичными уже установленным.

Ошибки при хранении данных в оперативной памяти неизбежны. Они классифицируются как аппаратные отказы и нерегулярные ошибки (сбои). Память с контролем четности способна обнаружить ошибку, но не способна ее исправить.

Для коррекции нерегулярных ошибок применяется ECC-память, которая содержит дополнительную микросхему для обнаружения и исправления ошибок в отдельных битах.

Метод коррекции ошибок работает следующим образом:

  1. При записи 64 бит данных в ячейку памяти происходит подсчет контрольной суммы, составляющей 8 бит.

  2. Когда процессор считывает данные, то выполняется расчет контрольной суммы полученных данных и сравнение с исходным значением. Если суммы не совпадают – это ошибка.

  3. Если ошибка однобитовая, то неправильный бит исправляется автоматически. Если двухбитовая – передается соответствующее сообщение для операционной системы.

Технология Advanced ECC способна исправлять многобитовые ошибки в одной микросхеме, и с ней возможно восстановление данных даже при отказе всего модуля DRAM.

Исправление ошибок нужно отдельно включить в BIOS

Большинство серверных модулей памяти являются регистровыми (буферизованными) – они содержат регистры контроля передачи данных.

Регистры также позволяют устанавливать большие объемы памяти, но из-за них образуются дополнительные задержки в работе. Дело в том, что каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память оказывается медленнее не регистровой на один такт.

Источник — nix.ru

Все регистровые модули и память с полной буферизацией также поддерживают ECC, а вот обратное не всегда справедливо. Из соображений надежности для сервера лучше использовать регистровую память.

Для правильной и быстрой работы нескольких процессоров, нужно каждому из них выделить свой банк памяти для доступа «напрямую». Об организации этих банков в конкретном сервере лучше почитать в документации, но общее правило такое: память распределяем между банками поровну и в каждый ставим модули одного типа.

Если пришлось поставить в сервер модули с меньшей частотой, чем требуется материнской плате – нужно включить в BIOS дополнительные циклы ожидания при работе процессора с памятью.

Для автоматического учета всех правил и рекомендаций по установке модулей можно использовать специальные утилиты от вендора. Например, у HP есть Online DDR4 (DDR3) Memory Configuration Tool.

Вместо пространственного заключения приведу общие рекомендации по выбору памяти:

  • Для многопроцессорных серверов HP рекомендуется использовать только регистровую память c функцией коррекции ошибок (ECC RDIMM), а для однопроцессорных — небуферизированную с ECC (UDIMM). Планки UDIMM для серверов HP лучше выбирать от этого же производителя, чтобы избежать самопроизвольных перезагрузок.

  • В случае с RDIMM лучше выбирать одно- и двухранговые модули (1rx4, 2rx4). Для оптимальной производительности используйте двухранговые модули памяти в конфигурациях 1 или 2 DIMM на канал. Создание конфигурации из 3 DIMM с установкой модулей в третий банк памяти значительно снижает производительность.

  • Из тех же соображений максимальной скорости желательно избегать использования четырехранговой памяти RDIMM, поскольку она снижает частоту до 1066 МГц в конфигурациях с одним модулем на канал, и до 800 МГц – в конфигурациях с двумя модулями на канал. Справедливо для серверов на базе Intel Xeon 5600 и Xeon E5/E5 v2.

Список короткий, но здесь все самое необходимое и наименее очевидное. Конечно же, старый как мир принцип RTFM никто не отменял.

habr.com

банк памяти — с русского на английский

  • банк памяти — — [Л.Г.Суменко. Англо русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.] Тематики информационные технологии в целом EN store bank …   Справочник технического переводчика

  • банк памяти — atminties bankas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. memory bank vok. Speicherbank, f rus. банк памяти, m pranc. banque de mémoire, f …   Automatikos terminų žodynas

  • банк (сегмент) памяти — Сегмент физической памяти, равный размеру адресного пространства процессора. [Е.С.Алексеев, А.А.Мячев. Англо русский толковый словарь по системотехнике ЭВМ. Москва 1993] Тематики информационные технологии в целом EN memory bank …   Справочник технического переводчика

  • банк (в электросвязи) — банк модуль Совокупность связанных друг с другом и совместно используемых устройств, например, группы каналов, гребенки фильтров или модулей памяти. См. channel , fitter . [Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо русский толковый… …   Справочник технического переводчика

  • Книга памяти Украины — «Электронная Книга Памяти Украины 1941 1945» URL: http://www.memory book.com.ua Коммерческий: нет Тип сайта: Банк данных …   Википедия

  • Омут Памяти — Эта статья является частью цикла статей о волшебном мире Гарри Поттера. Содержание 1 Коммуникация 1.1 Заколдованные монеты …   Википедия

  • Литературная премия памяти Астрид Линдгрен — Ежегодная Международная литературная премия памяти Астрид Линдгрен (The Astrid Lindgren Memorial Award (ALMA) вручается за вклад в развитие детской и юношеской литературы. Учреждена правительством Швеции в 2002 г. после кончины известной детской… …   Энциклопедия ньюсмейкеров

  • Memory bank — Банк памяти …   Краткий толковый словарь по полиграфии

  • КР580ВМ80А — Центральный процессор …   Википедия

  • КР580ВМ80 — КР580ВМ80А Центральный процессор Микропроцессор КР580ВМ80А, завод «Родон» Производство: с 1979 по середина 1990 х Производитель: СССР, УССР Частота ЦП …   Википедия

  • ПАМЯТЬ — – в психоанализе: одна из функций психического аппарата, благодаря которой осуществляется сохранение и воспроизведение полученных человеком в процессе жизни впечатлений.    Становление и развитие классического психоанализа было связано с… …   Энциклопедический словарь по психологии и педагогике

  • translate.academic.ru

    Отправить ответ

    avatar
      Подписаться  
    Уведомление о